HDP CVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法

摘要

本发明公开了一种HDP CVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法，所述方法采用HDP CVD工艺淀积介质膜，在打开反应腔阀门的步骤中不通入氧气，在加热反应腔的步骤的前期不通入氧气，后期开始通入氧气。作为对本发明的改进，所述加热反应腔的步骤的后期的时间小于等于10秒，所述加热反应腔的步骤的后期通入氧气的流量小于等于100sccm。本发明在现有HDP CVD工艺淀积介质膜的基础上作了改进，使用改进后的本发明方法所形成的二氧化硅的厚度得到了明显下降。

主权项

一种HDP CVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法，其特征是：所述方法包括如下步骤：第1步，打开反应腔阀门，不通入氧气；第2a步，加热反应腔，不通入氧气，该步骤称为加热反应腔的前期；第2b步，加热反应腔，通入氧气，该步骤称为加热反应腔的后期；所述加热反应腔的后期通入氧气的流量小于等于100sccm。