| 发明名称 | 一种调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行氧化和刻蚀，形成有源区；在有源区内形成超薄二氧化硅膜；对形成超薄二氧化硅膜的硅片进行钝化处理，使硅片表面的硅原子和硫原子形成化学键；对钝化后的硅片进行金属电极材料淀积，形成金属电极。利用本发明，解决了金属和硅形成的肖特基二极管势垒主要受半导体硅表面态影响的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101800177A | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN200910077622.3 | 申请日期 | 2009.02.09 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 胡爱斌;徐秋霞 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种调节金属和硅形成的肖特基二极管势垒的方法，其特征在于，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行氧化和刻蚀，形成有源区；在有源区内形成超薄二氧化硅膜；对形成超薄二氧化硅膜的硅片进行钝化处理，使硅片表面的硅原子和硫原子形成化学键；对钝化后的硅片进行金属电极材料淀积，形成金属电极。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||