发明名称 |
SONOS快闪存储器的制作方法 |
摘要 |
一种SONOS快闪存储器的制作方法,包括:提供依次具有介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构、第一多晶硅层以及腐蚀阻挡层的半导体衬底;沿位线方向依次刻蚀腐蚀阻挡层、第一多晶硅层和介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构,直至暴露出半导体衬底,形成开口;通过开口在半导体衬底内形成源极和漏极;在开口内以及腐蚀阻挡层上形成介电层,并进行平坦化处理直至曝露出腐蚀阻挡层;去除腐蚀阻挡层;在第一多晶硅层以及介电层表面形成第二多晶硅层,沿字线方向刻蚀第二多晶硅层,直至暴露介电层;进行10至20秒的快速热退火。本方法去除在介电层的侧壁以及第一多晶硅层之间产生多晶硅残留,防止漏电流发生。 |
申请公布号 |
CN101246856B |
申请公布日期 |
2010.08.11 |
申请号 |
CN200710037672.X |
申请日期 |
2007.02.13 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
徐丹;蔡信裕;仇圣棻;孙鹏 |
分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8247(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
逯长明 |
主权项 |
一种SONOS快闪存储器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:提供半导体衬底,所述半导体衬底上依次具有介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构、第一多晶硅层以及腐蚀阻挡层;沿位线方向依次刻蚀腐蚀阻挡层、第一多晶硅层和介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构,直至暴露出半导体衬底,形成开口;通过开口进行离子注入,在半导体衬底内形成源极和漏极;在开口内以及腐蚀阻挡层上形成介电层,并进行平坦化处理直至曝露出腐蚀阻挡层;去除腐蚀阻挡层;在第一多晶硅层以及介电层表面形成第二多晶硅层,并沿字线方向刻蚀所述第二多晶硅层,直至暴露介电层,在介电层侧壁以及第一多晶硅层侧壁形成多晶硅残留;进行10至20秒的快速热退火,修复刻蚀时对所述第二多晶硅层造成的晶格缺陷,并氧化所述多晶硅残留形成氧化硅。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |