发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括:安装体;半导体芯片,经由突出的连接端子安装在安装体上;以及填充树脂,填充在安装体与半导体芯片之间以密封连接端子,填充树脂收纳在半导体芯片内侧从而不会从限定半导体芯片的外周边部分的四个边部中的至少一个边部伸出。
申请公布号 CN101794738A 申请公布日期 2010.08.04
申请号 CN201010003988.9 申请日期 2010.01.15
申请人 索尼公司 发明人 村井诚;原田惠充
分类号 H01L23/13(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 主分类号 H01L23/13(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 彭久云
主权项 一种半导体装置,包括:安装体;半导体芯片,经由突出的连接端子安装在所述安装体上;以及填充树脂,填充在所述安装体与所述半导体芯片之间以密封所述连接端子,所述填充树脂收纳在所述半导体芯片内侧,使得所述填充树脂不会从限定所述半导体芯片的外周边部分的四个边部中的至少一个边部伸出。
地址 日本东京都
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