| 发明名称 | 半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括：包括至少一个具有不同折射率的反射层的多重反射层、在所述多重反射层上的第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层上的有源层和在所述有源层上的第二导电型半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN101796661A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN200880106174.9 | 申请日期 | 2008.09.05 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 朴炯兆;姜大成;孙孝根 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件，包括：多重反射层，所述多重反射层包括至少一个具有不同折射率的反射层；在所述多重反射层上的第一导电型半导体层；在所述第一导电型半导体层上的有源层；和在所述有源层上的第二导电型半导体层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||