| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件以及制造方法，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括沟槽；填充所述沟槽的一部分的内埋式栅极；层间电介质层，其形成在内埋式栅极上以间隙填充所述沟槽的剩余部分；及保护层，其基本上覆盖包括所述层间电介质层的衬底的整个表面。 | ||
| 申请公布号 | CN101794772A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN200910207772.1 | 申请日期 | 2009.10.30 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 张世亿;梁洪善;具滋春;李升龙 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;王春伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：具有沟槽的衬底；填充所述沟槽的一部分的内埋式栅极；形成在所述内埋式栅极上以间隙填充所述沟槽的剩余部分的层间电介质层；以及覆盖包括所述层间电介质层的所述衬底的整个表面的保护层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||