发明名称 一种抗还原性铜内电极高频低温烧结陶瓷介质材料
摘要 本发明公开了一种抗还原铜内电极高频低温烧结陶瓷介质材料,可用于铜内电极多层陶瓷电容器制作。由主晶相、改性添加剂、烧结助熔剂组成,主晶相的结构式是MgxBa(1-x)ZrySi(1-y)O3,其中0.8≤x≤0.95,0.05≤y≤0.2,所述的改性添加剂是MnO2、CaO、Li2O、Bi2O3、TiO2中的一种或几种;所述的烧结助熔剂是B2O3、SiO2、ZnO、CuO、K2O、BaO中的一种或几种。上述陶瓷介质材料满足EIA标准COG特性,且材料具备均一、粒度分布均匀、分散性高、成型工艺好的特点,符合环保要求,介电特性优良。
申请公布号 CN101786866A 申请公布日期 2010.07.28
申请号 CN200910214109.4 申请日期 2009.12.22
申请人 广东风华高新科技股份有限公司 发明人 宋蓓蓓;宋永生;莫方策;李娟;王孝国;郭精华
分类号 C04B35/16(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/16(2006.01)I
代理机构 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人 罗晓林
主权项 一种抗还原铜内电极高频低温烧结陶瓷介质材料,由主晶相、改性添加剂、烧结助熔剂组成,其特征在于:主晶相的结构式是MgxBa(1-x)ZrySi(1-y)O3其中0.8≤x≤0.95,0.05≤y≤0.2,所述的改性添加剂是MnO2、CaO、Li2O、Bi2O3、TiO2中的一种或几种;所述的烧结助熔剂是B2O3、SiO2、ZnO、CuO、K2O、BaO中的一种或几种。
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