发明名称 |
一种抗还原性铜内电极高频低温烧结陶瓷介质材料 |
摘要 |
本发明公开了一种抗还原铜内电极高频低温烧结陶瓷介质材料,可用于铜内电极多层陶瓷电容器制作。由主晶相、改性添加剂、烧结助熔剂组成,主晶相的结构式是MgxBa(1-x)ZrySi(1-y)O3,其中0.8≤x≤0.95,0.05≤y≤0.2,所述的改性添加剂是MnO2、CaO、Li2O、Bi2O3、TiO2中的一种或几种;所述的烧结助熔剂是B2O3、SiO2、ZnO、CuO、K2O、BaO中的一种或几种。上述陶瓷介质材料满足EIA标准COG特性,且材料具备均一、粒度分布均匀、分散性高、成型工艺好的特点,符合环保要求,介电特性优良。 |
申请公布号 |
CN101786866A |
申请公布日期 |
2010.07.28 |
申请号 |
CN200910214109.4 |
申请日期 |
2009.12.22 |
申请人 |
广东风华高新科技股份有限公司 |
发明人 |
宋蓓蓓;宋永生;莫方策;李娟;王孝国;郭精华 |
分类号 |
C04B35/16(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/16(2006.01)I |
代理机构 |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人 |
罗晓林 |
主权项 |
一种抗还原铜内电极高频低温烧结陶瓷介质材料,由主晶相、改性添加剂、烧结助熔剂组成,其特征在于:主晶相的结构式是MgxBa(1-x)ZrySi(1-y)O3其中0.8≤x≤0.95,0.05≤y≤0.2,所述的改性添加剂是MnO2、CaO、Li2O、Bi2O3、TiO2中的一种或几种;所述的烧结助熔剂是B2O3、SiO2、ZnO、CuO、K2O、BaO中的一种或几种。 |
地址 |
526020 广东省肇庆市风华路18号风华电子工业城 |