| 发明名称 | 一种曝光方法 | ||
| 摘要 | 一种曝光方法，所述曝光方法包括：提供布局图；利用布局图的图形信息生成第一曝光条件和第二曝光条件；针对所述第一曝光条件形成第一模型，针对所述第二曝光条件形成第二模型；对第一模型和第二模型进行曝光实验，获得第一曝光剂量和第二曝光剂量；根据第一模型和第二模型生成与前述布局图相对应的模型，并根据所述生成的模型和第一曝光剂量生成第三曝光剂量，根据所述生成的模型和第二曝光剂量生成第四曝光剂量；利用所述与前述布局图相对应的模型制备得到掩膜版；对待曝光的晶圆按照第一曝光条件和第三曝光剂量进行曝光；对所述曝光后的晶圆按第二曝光条件和第四曝光剂量进行曝光。所述曝光方法降低了成本费用并且提高了生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101788768A | 申请公布日期 | 2010.07.28 |
| 申请号 | CN200910045701.6 | 申请日期 | 2009.01.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李承赫 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I;G03F1/14(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种曝光方法，其特征在于，包括，提供布局图；利用布局图的图形信息生成第一曝光条件和第二曝光条件；针对所述第一曝光条件形成第一模型，针对所述第二曝光条件形成第二模型；对第一模型和第二模型进行曝光实验，获得第一曝光剂量和第二曝光剂量；根据第一模型和第二模型生成与前述布局图相对应的模型，并根据所述生成的模型和第一曝光剂量生成第三曝光剂量，根据所述生成的模型和第二曝光剂量生成第四曝光剂量；利用所述与前述布局图相对应的模型制备得到掩膜版；对待曝光的晶圆按照第一曝光条件和第三曝光剂量进行曝光；对所述曝光后的晶圆按第二曝光条件和第四曝光剂量进行曝光。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||