| 发明名称 | 半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件和光学装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体激光元件的制造方法和半导体激光元件。该半导体激光元件的制造方法包括：形成表面具有用于劈开的第一槽的第一半导体激光元件基板的工序；将第二半导体激光元件基板贴合在具有第一槽的表面一侧的工序；和在此之后，至少沿第一槽劈开第一半导体激光元件基板和第二半导体激光元件基板的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101789562A | 申请公布日期 | 2010.07.28 |
| 申请号 | CN201010103971.0 | 申请日期 | 2010.01.26 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 别所靖之;大保广树;竹内邦生;德永诚一;久纳康光;畑雅幸 |
| 分类号 | H01S5/40(2006.01)I;H01S5/24(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括：形成表面具有用于劈开的第一槽的第一半导体激光元件基板的工序；将第二半导体激光元件基板贴合在具有所述第一槽的所述表面上的工序；和之后，为了在所述第一半导体激光元件基板和所述第二半导体激光元件基板上形成劈开面，至少沿所述第一槽劈开所述第一半导体激光元件基板和所述第二半导体激光元件基板的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||