| 发明名称 |
HIGH WITHSTAND VOLTAGE MOS TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
JPH08172189(A) |
申请公布日期 |
1996.07.02 |
| 申请号 |
JP19940316894 |
申请日期 |
1994.12.20 |
| 申请人 |
NIPPONDENSO CO LTD |
发明人 |
MOCHIZUKI YASUHIRO;HIMI KEIMEI;YAMAGUCHI HITOSHI |
| 分类号 |
H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/06 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
