| 发明名称 | 形成、处理高K栅介质层的方法及形成晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成、处理高K栅介质层的方法及形成晶体管的方法，其中形成高K栅介质层的方法，包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行激光热处理并通入氧气或氧气和氮气混合气体，形成缓冲层；在缓冲层上形成高K栅介质层。本发明提高了后续缓冲层及栅介质层的质量，使半导体器件的性能提高；同时，降低了半导体器件的热预算，改善了高K栅介质层中局部晶化的情况，进而减小了漏电流的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN101752235A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200810204181.4 | 申请日期 | 2008.12.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王津洲;高大为 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种形成高K栅介质层的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行激光热处理并通入氧气或氧气和氮气混合气体，形成缓冲层；在缓冲层上形成高K栅介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||