| 发明名称 | 用于制备层压体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供用于制备层压体的方法。所述用于制备层压体的方法包括：膜形成步骤，用于在支持体(110)上形成具有一个或多个层的薄膜(120，160)，以获得薄膜；缺陷覆盖层(130，170)形成步骤，用于通过CVD在薄膜(120，160)上形成缺陷覆盖层(130，170)；和检查步骤，用于透过缺陷覆盖层(130，170)的顶部检测尺寸为0.1μm以上且20μm以下的缺陷(180)。该方法能够制备具有较少缺陷的层压体，其有效地允许检测细小缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101750421A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200910260476.8 | 申请日期 | 2009.12.15 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 高桥伸辅;西田弘幸;藤浪达也 |
| 分类号 | G01N21/892(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/892(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 一种用于制备层压体的方法，所述方法包括：膜形成步骤，所述膜形成步骤用于在支持体(110)上形成具有一个或多个层的薄膜(120，160)；缺陷覆盖层形成步骤，所述缺陷覆盖层形成步骤用于通过CVD在所述薄膜上形成缺陷覆盖层(130，170)；和检查步骤，所述检查步骤用于透过所述缺陷覆盖层(130，170)的顶部检测尺寸为0.1μm以上且20μm以下的缺陷(180)。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||