发明名称 光电二极管阵列及其制造方法
摘要 本发明提供一种光电二极管阵列及其制造方法、以及放射线检测器,其目的在于能够防止在安装时因光检测部的损伤而造成杂音的发生。这种光电二极管阵列,是在n型硅基板(3)的被检测光的入射面侧,以阵列状形成多个光电二极管(4),分别对应光电二极管(4)而形成有贯通入射面侧与其背面侧的贯通配线(8),在其入射面侧的未形成光电二极管(4)的非形成区域,设置有具有规定平面图案的空间层(6)来作成光电二极管阵列(1)。
申请公布号 CN101373783B 申请公布日期 2010.06.23
申请号 CN200810169538.X 申请日期 2004.03.10
申请人 浜松光子学株式会社 发明人 柴山胜己
分类号 H01L27/144(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;G01T1/20(2006.01)I 主分类号 H01L27/144(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种光电二极管阵列,其特征在于:包括,在被检测光的入射面侧以阵列状形成有多个光电二极管的半导体基板,所述半导体基板对应所述光电二极管而形成有贯通所述入射面侧和其背面侧的贯通配线,在所述入射面侧的没有形成所述光电二极管的区域,设置有具有规定高度的凸状部,在所述背面侧设置有凸块电极,所述凸状部以及所述凸块电极被配置在所述贯通配线的轴上,所述凸状部由多个空间层单元形成,并且是通过以规定间隔断续配置该各空间层单元而形成。
地址 日本静冈县