等离子体增强的半导体淀积设备

摘要

一种等离子体增强的化学气相淀积设备包括处理室和在处理室内延伸的至少一个注气导管。每个注气导管具有注射区，来自注射区的源气体通过导管的侧壁引入处理室中。为此，在注射区中设置多个槽。槽最小化注气导管内源气体将变为等离子体的可能性。由此，可以最小化微粒污染。

主权项

一种等离子体增强的化学气相淀积设备，包括：处理室；布置在处理室中且专用于支撑晶片的静电卡盘；以及在处理室内延伸的至少一个注气导管，每个所述的注气导管具有侧壁、内部通路以及注射区，来自内部通路的源气体经由注射区被注射到所述处理室中，其中所述的注气导管具有延伸贯穿注射区内的所述侧壁的多个注射槽。