发明名称 |
一种SiGe合金热电材料的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种SiGe合金热电材料的制备方法。一种SiGe合金热电材料的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:1)以高纯Si块、高纯Ge块和掺杂物为原料,按化学式Si80Ge20X0~3称重,化学式中X表示掺杂物的元素;将高纯Si块、高纯Ge块和掺杂物混合后,在氩电弧熔融炉中熔融2~3次,每次30s,得到合金块体;2)将步骤1)中得到的合金块体碾磨破碎,然后以酒精为球磨工艺控制剂在球磨机中球磨1~2h,干燥后得到合金粉末;3)对步骤2)中得到的合金粉末进行放电等离子烧结,得到致密、块体的SiGe合金热电材料。本发明工艺简单、制备时间短,工艺参数容易控制,所制备的材料性能高。 |
申请公布号 |
CN101736172A |
申请公布日期 |
2010.06.16 |
申请号 |
CN201010028932.9 |
申请日期 |
2010.01.08 |
申请人 |
武汉理工大学 |
发明人 |
唐新峰;罗文辉;张文浩 |
分类号 |
C22C1/02(2006.01)I;B22F9/04(2006.01)I;B22F3/105(2006.01)I |
主分类号 |
C22C1/02(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
代理人 |
唐万荣 |
主权项 |
一种SiGe合金热电材料的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:1)以高纯Si块、高纯Ge块和掺杂物为原料,按化学式Si80Ge20X0~3称重,化学式中X表示掺杂物的元素,所述的掺杂物的质量纯度≥99.99%,所述的高纯Si块的质量纯度≥99.99%,所述的高纯Ge块的质量纯度≥99.99%;将高纯Si块、高纯Ge块和掺杂物混合后,在氩电弧熔融炉中熔融2~3次,每次30s,得到合金块体;2)将步骤1)中得到的合金块体碾磨破碎,然后以酒精为球磨工艺控制剂在球磨机中球磨1~2h,干燥后得到合金粉末;3)对步骤2)中得到的合金粉末进行放电等离子烧结,得到SiGe合金热电材料。 |
地址 |
430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 |