发明名称 |
高热导率氮化硅陶瓷材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了属于无机非金属材料领域的一种高热导率氮化硅陶瓷材料及其制备方法。通过添加稀土氟化物YF3来替代常用的稀土氧化物Y2O3作为烧结助剂,另外添加碱土金属氧化物MgO来降低烧结过程中所产生的玻璃相的熔融温度和粘度以降低烧结温度和使晶界相结晶化,最终获得了热导率相对提高14%,抗弯强度相对增加9%的高热导率高强度氮化硅陶瓷。本发明具有重要的工业应用价值。 |
申请公布号 |
CN101100388B |
申请公布日期 |
2010.06.09 |
申请号 |
CN200710119160.8 |
申请日期 |
2007.07.17 |
申请人 |
清华大学 |
发明人 |
宁晓山;张洁;滕甫 |
分类号 |
C04B35/584(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/645(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/584(2006.01)I |
代理机构 |
北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 |
代理人 |
李光松 |
主权项 |
一种高热导率氮化硅陶瓷材料,其特征在于,所述高热导率氮化硅陶瓷材料是在氮化硅粉体中添加占材料总量的5wt%~8wt%的稀土氟化物YF3和占材料总量的2~4wt%的碱土金属氧化物MgO作为烧结助剂,经过球磨、烘干、粉碎、过筛工序,得到混合均匀的复合粉体,然后烧结,在烧结成的材料组织中至少含有MgY4Si3O13化合物和β-Si3N4结晶相的氮化硅陶瓷材料。 |
地址 |
100084 北京市100084-82信箱 |