Mehr-Gatetransistor mit Stegen mit einer Länge, die durch die Gateelektrode definiert ist

摘要

Die Drain- und Sourcegebiete eines Mehr-Gatetransistors werden ohne einen epitaktischen Aufwachsprozess hergestellt, indem eine Platzhalterstruktur zur Herstellung der Drain- und Sourcedotierstoffprofile verwendet wird, und indem nachfolgend die Drain- und Sourcebereiche maskiert werden und die Platzhalterstruktur entfernt wird, um damit den Kanalbereich des Transistors freizulegen. Daraufhin werden entsprechende Stege strukturiert und es wird eine Gateelektrodenstruktur hergestellt. Folglich können kürzere Durchlaufzeiten auf Grund des Vermeidens des epitaktischen Aufwachsprozesses erreicht werden.