制造具有凹陷栅极的半导体器件的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成硬掩模图案，利用硬掩模图案作为蚀刻阻挡物，在所述衬底内形成第一凹陷并在所述第一凹陷的侧壁上形成钝化层，和通过利用钝化层作为蚀刻阻挡物，蚀刻所述第一凹陷的底部以形成第二凹陷，其中第二凹陷的宽度大于第一凹陷的宽度。

主权项

一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成硬掩模图案；通过利用所述硬掩模图案作为蚀刻阻挡物垂直蚀刻所述衬底的一部分，在所述衬底内形成第一凹陷和在所述第一凹陷的侧壁上形成钝化层；通过进行等离子体氧化工艺在所述钝化层上形成氧化物层；和通过利用所述钝化层作为蚀刻阻挡物蚀刻所述第一凹陷的底部形成第二凹陷，其中所述第二凹陷的宽度大于所述第一凹陷的宽度，其中所述钝化层是在垂直蚀刻所述衬底的一部分时作为蚀刻产物产生的。