重掺硅中磷、砷、锑、硼的去除装置

摘要

本发明公开了一种重掺硅中磷、砷、锑、硼的去除方法及其装置，它是将半导体工业中废弃的重掺硅的埚底料、头尾料、边角料、破碎片，在高温下加热熔化，通过在硅熔体中通惰性气体He、Ne、Ar，用吹气鼓泡促进蒸发的方法，降低硅中掺杂剂的磷、砷、锑、硼的浓度，以达到将半导体重掺硅用于太阳能硅的原料。本发明通过在普通的直拉硅单晶炉上附加一个吹气鼓泡装置和取样勺，采用控制蒸发温度和吹气鼓泡时间，可实现对硅中杂质的有效控制和随时检测，当N型杂质总浓度小于5×1016atms/cm3，或P型杂质总浓度小于1×1017atms/cm3，对应电阻率大于0.1Ω.cm时，半导体重掺硅的废弃料，可用于拉制太阳能硅单晶的原料。本发明简单易行，操作方便，可实现废弃硅的循环利用。

主权项

一种重掺硅中磷、砷、锑、硼的去除装置，其特征在于具有直拉单晶炉，直拉单晶炉包括主室(1)和副室(2)，在主室内设有坩埚轴系统和加热系统，坩埚轴系统设有坩埚，坩埚具有石墨坩埚，石墨坩埚内设有石英坩埚(3)，副室内设有籽晶轴系统，籽晶轴系统具有籽晶轴(4)，其特征在于在主室的石英坩埚(3)内设有吹气装置，吹气装置具有一根或多根吹气主管(5)，吹气主管下端设有取样勺插口(6)，取样勺插口上插有取样勺(7)，吹气主管上端固定在吹气管固定架(8)上，吹气管固定架与籽晶轴相连接，吹气主管上端与连接软管或波纹管(9)一端相连接，连接软管或波纹管另一端与进气口(10)相连接。