发明名称 液晶装置,有源矩阵基板,显示装置以及电子设备
摘要 本发明提供能够极力地把薄膜晶体管的漏电流抑制为低水平,能够容易地与像素的超高清晰对向应的液晶装置以及具备了该液晶装置的电子设备,本发明的液晶装置把TFT30做成具备了由多晶硅膜构成的半导体层42,在多个位置与上述半导体层42交叉的多个栅电极32~34的P型晶体管,同时,在上述半导体层42的各个沟道区1a的两侧部分具有形成了低浓度掺杂区1b、1c的LDD构造,在上述薄膜晶体管的厚度方向两侧具备遮光单元(遮光膜15,数据线分支部分6c)。
申请公布号 CN1550826B 申请公布日期 2010.05.26
申请号 CN200410031077.1 申请日期 2004.04.20
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 小出慎;伊藤友幸;腰原健;北川笃史
分类号 G02F1/136(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 主分类号 G02F1/136(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 陈海红;段承恩
主权项 一种液晶装置,该液晶装置具备具有相互交叉设置的多条扫描线以及多条数据线,对应于上述数据线与上述扫描线的交叉部分设置的P型薄膜晶体管,和连接到该P型薄膜晶体管上的像素电极的有源矩阵基板,与上述有源矩阵基板对向配置的对向基板,以及夹在上述两基板之间的液晶层,其特征在于:上述P型薄膜晶体管包括:与上述数据线及扫描线邻接的半导体层,与上述半导体层交叉的多个栅电极,和在与该栅电极对向的上述半导体层的沟道区的两侧由P型的低浓度杂质掺杂区形成的漏区,即LDD部分,上述扫描线具有沿着与上述数据线交叉的方向延伸的扫描线主线部分,和沿着与该扫描线主线部分交叉的方向延伸设置的多条扫描线分支部分,上述扫描线分支部分构成上述P型薄膜晶体管的多个栅电极,另外,在上述P型薄膜晶体管的上部,具有与上述半导体层的沟道区平面重叠地配置的上述P型薄膜晶体管的上部的遮光单元,进而,在位于上述半导体层下侧的上述有源矩阵基板之上,具有上述P型薄膜晶体管的下部的遮光单元,上述数据线具有沿着与上述扫描线交叉的方向延伸的数据线主线部分,以及从该数据线主线部分分支或者延伸出的,沿着与该数据线主线部分交叉的方向延伸的数据线分支部分,上述数据线分支部分配置成与上述半导体层的沟道区平面重叠,构成上述P型薄膜晶体管的上部的遮光单元。
地址 日本东京都