制造半导体元件的方法和由此方法制造的半导体元件

摘要

为了制造包含至少一个近似呈T形电极的半导体元件，本发明提供了一种制造栅极头的方法，该栅极头能够精准地标度并减小寄生电容。

主权项

一种制造半导体元件的方法，其中通过防护层上的一个开孔，在一个位于防护层下方的半导体区域内产生一个挖槽，并通过防护层上的该开孔制备一个狭窄的电极脚，并在该电极脚上面制备一个金属电极的展宽电极头，其特征为：电极脚和电极头的电极金属被连续地沉积于整面的防护层及其开孔上，在金属层内一直到防护层上，侵蚀出电极头的构造，之后去除掉防护层，并至少用一个被动层将挖槽的半导体表面遮盖起来，被动层生长的时间及厚度，使得由半导体区域、电极脚及电极头从多面包围形成的空间由材料封闭起来，并具有未填充被动层材料的中空空间，所述中空空间起初在背对电极脚的一侧敞开。