一种太阳能电池用硅片

摘要

本发明把熔硅法制得的太阳能级多晶硅，经多晶铸锭或拉成单晶后，加工成硅片，与西门子法制备的硅片同时在太阳电池芯片生产工艺线流片(排出工艺差异的影响)。测得芯片参数合格的前提下，提出了一个太阳能级硅片的质量标准。

主权项

熔硅法制备太阳能级电池硅片，其特征在于所述多晶硅或单晶硅纯度达到≥5N级，硼含量达到亚ppm级，氧含量为5～8×1017cm-3，碳含量≤5×1016cm-3，多晶硅片少子寿命达2微秒；单晶硅片少子寿命达10～20微秒。