奈米碳管阵列结构及其制备方法

摘要

本发明涉及奈米碳管阵列结构及其制备方法。该奈米碳管阵列结构，包括一基底、形成于该基底一表面上之至少一催化剂区块、及形成于该催化剂区块上之奈米碳管阵列，其中该催化剂区块之厚度由一第一端部向一第二端部逐渐减小，自第一端部至第二端部之范围内，有一处之厚度最接近一最佳厚度，奈米碳管阵列向背离最佳厚度处之方向弯曲。本发明亦提供上述奈米碳管阵列结构之制备方法，其步骤包括：提供一基底；于该基底一表面形成至少一催化剂区块，控制催化剂区块之厚度由一第一端部向一第二端部逐渐减薄，使第一端部至第二端部之范围内，有一处之厚度最接近一最佳厚度；通入碳源气，利用化学气相沈积法于上述催化剂区块上生长奈米碳管阵列，该奈米碳管阵列背离上述最佳厚度处弯曲。该奈米碳管阵列结构及其制备方法可用于平面显示、奈米电子器件、大电流场发射电子枪等器件或其阴极制造工艺。

主权项

一种奈米碳管阵列结构，包括一基底、形成于该基底一表面上之至少一催化剂区块、及形成于该催化剂区块上之奈米碳管阵列，其中该催化剂区块之厚度由一第一端部向一第二端部逐渐减薄，自第一端部至第二端部之范围内，有一处之厚度最接近一最佳厚度，奈米碳管阵列向背离最佳厚度处之方向弯曲。