发明名称 一种氮化硅基封孔涂层的制备方法
摘要 本发明提供了一种氮化硅基封孔涂层的制备方法,该方法是:先将氮化硅、氧化镁、氧化铝、氧化硅粉体,与聚乙烯醇、三聚磷酸钠和水按照配比进行充分球磨混合,制得氮化硅基料浆,该料浆利用常温喷涂的方法在氮化硅基多孔陶瓷基体表面进行涂覆,得到生坯;生坯在常温干燥12~24小时后,于200~400℃进行排胶并保温5~24小时;排胶后的生坯在1400~1700℃氮气保护气氛下常压烧结并保温1~5小时,即得到致密的氮化硅基封孔涂层。本发明工艺简单、原料和工艺成本低、可重复性好,所制备的氮化硅基封孔涂层厚度均匀可控,结构致密,无微观裂纹,与氮化硅基多孔陶瓷基体结合良好。
申请公布号 CN101700985A 申请公布日期 2010.05.05
申请号 CN200910272706.2 申请日期 2009.11.10
申请人 武汉理工大学 发明人 陈斐;杨莹;沈强;王传彬;张联盟
分类号 C04B41/87(2006.01)I 主分类号 C04B41/87(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 王守仁
主权项 一种氮化硅基封孔涂层的制备方法,其特征是一种在氮化硅基多孔陶瓷表面进行致密的氮化硅基封孔涂层的制备方法,其按下述步骤进行:(1)将氮化硅、氧化镁、氧化铝、氧化硅粉体按重量配比为(50~60)∶(6~12)∶(4~8)∶(20~30)均匀混合,再加入与混合物的质量百分比为0.3%的聚乙烯醇、0.3%的三聚磷酸钠、0.8~1%的水进行球磨混合,得到氮化硅基料浆,(2)将氮化硅基料浆利用常温喷涂的方法在试样进行涂覆,得到涂覆的生坯,所述试样是指氮化硅基多孔陶瓷表面,(3)将生坯在常温条件下干燥12~24小时,(4)将干燥后的生坯在200~400℃进行排胶并保温5~24小时,将热处理后的产物在1400~1700℃氮气保护气氛下常压烧结,控制升温速率为50~200℃/小时和保温时间为1~5小时,即得到氮化硅基封孔涂层。
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