| 发明名称 | 半导体存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体存储器件包括半导体衬底。在半导体衬底上设置层间介质。在层间介质上设置位线。位线隔片由包含硼和/或碳的氮化物层所制成，并覆盖位线的侧壁。还提供了制造半导体存储器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1949518A | 申请公布日期 | 2007.04.18 |
| 申请号 | CN200610126608.4 | 申请日期 | 2006.08.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金振均;金起善;安宰永 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);H01L23/532(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/318(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上设置的层间介质；在层间介质上设置的位线；以及位线的侧壁上的位线隔片，并且其中位线隔片包括包含硼和/或碳的氮化物层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||