| 发明名称 | 嵌入式衰减相移光掩模坯料 | ||
| 摘要 | 一种嵌入式衰减相移光掩模坯料，采用由金属、硅、氮和氧制成的光透射膜形成，产生透光的相移。增加刻蚀阻挡层以提高相移层的刻蚀选择性。通过该工艺获得宽范围的光透射(在157nm，0.001％至15％)。 | ||
| 申请公布号 | CN1646994B | 申请公布日期 | 2010.04.28 |
| 申请号 | CN03808171.7 | 申请日期 | 2003.04.07 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 玛丽·安格洛普洛斯;凯瑟琳娜·巴比奇;杰伊·S·切伊;迈克尔·斯特拉特·赫伯斯;罗伯特·N·朗;阿潘·帕拉维·玛霍洛瓦拉;肯尼思·克里斯托弗·拉斯特 |
| 分类号 | G03F9/00(2006.01)I;G03C5/00(2006.01)I;C23C14/00(2006.01)I;C23C14/32(2006.01)I | 主分类号 | G03F9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 一种用在光刻工艺中的衰减型相移掩模坯料，包括：包括石英或氟化石英材料的基底；在所述基底上淀积的刻蚀阻挡层，该刻蚀阻挡层包括选自钛和钽的金属，并展现出改善的刻蚀选择性；在所述刻蚀阻挡层上淀积的相移层，该相移层包括通式为SiwTixNyOz的复合材料，其中w从0.1至0.6，x从大于0至0.2，y从0至0.6，z从大于0至0.7；和所述相移掩模坯料能够生产出具有180°的相移和在小于500nm的选择波长下至少为0.001％的光透射率的光掩模，其中获得所述掩模坯料在157nm光子照射下的改善的稳定性。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||