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Ein Halbleiterbauelement (100) umfasst ein nichtflüchtiges Speicherzellenfeld (110), das eine Mehrzahl von Speicherzellen umfasst, die jeweils dazu ausgebildet sind, einen einer Mehrzahl von Zuständen einzunehmen, wobei die Zustände unterschiedliche Mehrbitdaten darstellen, einen Seitenpuffer (130), der dazu ausgebildet ist, Daten zu speichern, die in das nichtflüchtige Speicherzellenfeld programmiert werden, einen Spannungsgenerator (180), der dazu ausgebildet ist, Spannungen zum Anlegen an das nichtflüchtige Speicherzellenfeld zu erzeugen, einen Dekodierer (120), der dazu ausgebildet ist, Spannungen an Wortleitungen des nichtflüchtigen Spei(170), die dazu ausgebildet ist, den Spannungsgenerator, den Dekodierer und den Seitenpuffer zum ersten simultanen Programmieren einer ersten Speicherzelle von einem ersten ausgewählten Zustand in einen zweiten ausgewählten Zustand und einer zweiten Speicherzelle von einem dritten ausgewählten Zustand in einen verfeinerten dritten ausgewählten Zustand anzusteuern, wobei der verfeinerte dritte ausgewählte Zustand eine höhere Verifikationsspannung als der dritte ausgewählte Zustand aufweist.
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