Aufbauten und Verfahren zum Ausbilden von Trenchfeldeffekttransistoren mit hoher Dichte

摘要

Ein Halbleiteraufbau umfasst Gräben, die sich in ein Halbleitergebiet erstrecken. Abschnitte des Halbleitergebiets erstrecken sich zwischen benachbarten Gräben und bilden Mesa-Gebiete aus. In jedem Graben befindet sich eine Gate-Elektrode. In dem Halbleitergebiet zwischen benachbarten Gräben erstrecken sich Wannengebiete vom ersten Leitfähigkeitstyp. In den Wannengebieten befinden sich Source-Gebiete vom zweiten Leitfähigkeitstyp. In den Wannengebieten befinden sich Heavy-Body-Gebiete vom ersten Leitfähigkeitstyp. Die Source-Gebiete und die Heavy-Body-Gebiete sind benachbart zu den Grabenseitenwänden, und die Heavy-Body-Gebiete erstrecken sich über den Source-Gebieten entlang den Grabenseitenwänden zu einer Oberfläche der Mesa-Gebiete.