| 发明名称 | 具有槽型结构的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在具有槽型MOS栅结构的MOS栅功率器件等的半导体器件中，使槽内壁上形成的栅氧化膜的特性得到改善。形成从槽的内表面延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的绝缘膜，同时形成从槽的内部突出并延伸到沿所述半导体衬底的主面的外表面的栅。此外，从槽的开口部到外表面将栅氧化膜形成得较厚，在槽的开口部处将栅作成剖面收缩的形状。 | ||
| 申请公布号 | CN1881612B | 申请公布日期 | 2010.04.14 |
| 申请号 | CN200610101404.5 | 申请日期 | 1998.03.13 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 中村胜光 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 陈景峻 |
| 主权项 | 一种具有槽型结构的半导体器件，其特征在于，具有：已形成于半导体衬底的主面上的槽；至少已形成于所述槽的内表面上的绝缘膜；和至少形成于所述槽的内部并注入了氮的导电部。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||