| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche de matériau au moins partiellement relaxé (5,5a,5b) pour l'électronique, l'optoélectronique ou le photovoltaïque comportant la fourniture d'une structure (10) comprenant une couche de matériau contraint (3, 3a,3b), située entre une couche de fluage (2 ,2a,2b), et une couche raidisseur (4,4a,4b) l'application d'un traitement thermique qui porte la couche de fluage (2 ,2a,2b) à une température supérieure ou égale à la température de transition vitreuse de ladite couche de fluage (2 ,2a,2b) caractérisé en ce qu'il comprend la réduction progressive de l'épaisseur de la couche raidisseur (4,4a,4b) lors de l'application dudit traitement thermique. L'invention concerne également un procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs comprenant la fourniture d'une couche de matériau au moins partiellement latéralement relaxé (5, 5a, 5b) obtenue suivant le procédé précédent, caractérisé en ce qu'il comprend en outre la formation d'au moins une couche active (6, 6a, 6b) sur la couche de matériau au moins partiellement relaxé (5, 5a, 5b) en particulier des couches actives (6, 6a, 6b) de composants laser, de composants photovoltaïques ou de diodes électroluminescentes.</p> |
