用于图案加载应用的低温SACVD工艺

摘要

在此公开一种在沉积氧化硅层期间用来改善图案加载的方法。该方法包括在沉积腔室内提供沉积用衬底，并调整该沉积用衬底的温度至约250℃～325℃间。以约1.5slm～约3slm的第一流速引入一种含有臭氧的气体到该沉积腔室内，其中该气体内的臭氧浓度大约在6％～12％(重量百分比)间。也可以大约2500mgm至约4500mgm间的第二流速将TEOS引入至该沉积腔室内。通过控制衬底表面上臭氧与TEOS间的反应速率来控制氧化硅层的沉积速率。

主权项

1、一种改善沉积氧化硅膜层时的图案加载的方法，包含：提供沉积用衬底至沉积腔室内；调整该沉积用衬底的温度至约250℃～325℃间；以介于约1.5slm～3slm的第一流速引入一种含有臭氧的气体到该沉积腔室内，其中该气体内的臭氧浓度大约在重量百分比为6％～12％间；以介于约2500mgm至4500mgm间的第二流速将TEOS引入至该沉积腔室内，其中通过控制该衬底的沉积表面上的臭氧与TEOS间的反应速率，来控制该氧化硅层的沉积速率。