| 发明名称 | 在氮化铌上包括氧化钽层的构造及装置及其产生方法 | ||
| 摘要 | 本文揭示包括邻近于氮化铌(30)的氧化钽层(50)的方法、构造及装置。在某些实施例中，氮化铌是晶形的且具有六边形密堆积结构。任选地，所述氮化铌可具有表面(35)，所述表面包括邻近于其至少一部分的氧化铌(40)。在某些实施例中，所述氧化钽层是经结晶学取向的且具有六边形结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101675489A | 申请公布日期 | 2010.03.17 |
| 申请号 | CN200880014079.6 | 申请日期 | 2008.04.29 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 维什瓦纳特·巴特 |
| 分类号 | H01G4/12(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 沈锦华 |
| 主权项 | 1、一种构造，其包含：包含氮化铌的电极；及邻近于所述电极的至少一部分的氧化钽层。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||