发明名称 |
一种光刻后注入离子的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种光刻后注入离子的方法。本发明在半导体基底与光刻胶之间增加了屏蔽层,用来屏蔽经光刻胶沟槽侧壁折射而损失能量的注入离子。这样,损失一部分能量的离子不会注入至半导体基底中,保证了注入至半导体基底中的离子能量均匀,从而抑制了WPE效应。而且,本发明通过提高烘烤温度使得光刻胶沟槽的侧壁向其外侧倾斜。这样,离子经由沟槽的侧壁折射后,可能会从沟槽顶部的开口射出而不会轰击在屏蔽层,因而能够降低经侧壁折射的离子穿过屏蔽层的概率,从而进一步抑制了WPE效应。 |
申请公布号 |
CN101673060A |
申请公布日期 |
2010.03.17 |
申请号 |
CN200810222119.8 |
申请日期 |
2008.09.09 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
刘思南 |
分类号 |
G03F7/26(2006.01)I;G03F7/38(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 |
代理人 |
宋志强;麻海明 |
主权项 |
1、一种光刻后注入离子的方法,其特征在于,该方法包括:在半导体基底上旋涂屏蔽层;在所述屏蔽层上旋涂光刻胶;选择性曝光所述光刻胶,并去除被感光部分的光刻胶形成沟槽,然后进行烘烤;在所述沟槽处向所述半导体基底注入离子。 |
地址 |
100176北京市经济技术开发区文昌大道18号 |