焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法

摘要

本发明属于无机化合物晶体及制造技术领域，具体涉及一种焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法。本发明的生长方法包括：原料的合成，熔料，接种，生长和降温四个步骤，其中，晶体生长完毕后的降温过程中，在相变点温度以上时，降温速率为30～50℃/分钟，在相变点温度以下时，降温速率为100～200℃/小时。本发明的生长方法解决了YPS晶体生长过程中非一致熔融的问题和相变的问题，可以获得晶体质量较好的YPS高温δ相单晶。

主权项

1、一种焦硅酸钇闪烁单晶的浮区法生长方法，包括如下步骤：1)配料：将原料按照晶体组成比例配料后混合均匀制得混合料；2)预烧结：将步骤1)中制得的混合料压成料棒后进行预烧结后制得多晶棒；3)晶体生长：将多晶棒和籽晶安装在浮区炉中，密封并通入保护气体，然后升温至多晶棒和籽晶融化，升温同时多晶棒和籽晶分别同向或反向转动，保温，接种；然后进行晶体生长；4)降温：晶体生长完毕后进行降温，在降温过程中，在相变点温度以上时，降温速率为30～50℃/分钟，在相变点温度以下时，降温速率为100～200℃/小时。