| 发明名称 | 含硅和碳的阻挡层的卷到卷等离子体增强化学气相沉积方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供在挠性基材上形成阻挡层的方法和工艺。连续卷到卷法包括使用至少一个构造成引导基材穿过处理室的辊向处理室提供基材。该工艺包括通过使在处理室内的基材的至少一部分暴露于包含含硅和碳的前体气体的等离子体而邻近该基材沉积阻挡层。本发明进一步涉及包含基于结构单元SiC:H的阻挡层的涂布挠性基材。该阻挡层具有高密度和低孔隙率。此外，该阻挡层显示出10<sup>-2</sup>-10<sup>-3</sup>g.m<sup>-2</sup>d<sup>-1</sup>的低水蒸气透过率(WVTR)并且适合很低渗透性的应用。 | ||
| 申请公布号 | CN101668879A | 申请公布日期 | 2010.03.10 |
| 申请号 | CN200880009829.0 | 申请日期 | 2008.02.29 |
| 申请人 | 陶氏康宁公司 | 发明人 | L·M·赞伯韦;V·A·沙玛米安;W·K·韦德纳;M·J·罗伯达;S·A·斯诺;G·A·塞尔尼 |
| 分类号 | C23C16/54(2006.01)I;C23C16/32(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/54(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 陈 宙 |
| 主权项 | 1.一种方法，其包括：使用至少一个构造成引导基材穿过处理室的辊向处理室提供基材；和通过使在处理室内的基材的至少一部分暴露于包含含硅和碳的前体气体的等离子体而邻近该基材沉积阻挡层。 | ||
| 地址 | 美国密执安 | ||