真空蒸镀制合金薄膜用SiO₂基片清洗方法

摘要

本发明涉及一种真空蒸镀制合金薄膜用SiO₂基片清洗方法。它是(1)将基片抛光粉打磨；(2)放置于配比为：氨水∶双氧水∶去离子水为1～1.2∶2～3∶5～6的清洗液，煮沸10～20分钟，再用去离子水冲洗干净；(3)再置于容器中加入比为：盐酸∶双氧水∶去离子水为1～1.2∶2～3∶8～10的清洗液中，同样煮沸10～12分钟后用去离子水冲洗干净；(4)再放入超声波清洗机中，用去离子水为清洗介质，采用常温和控制在50～75℃超声波抛动清洗和无超声波抛动清洗3～10分钟左右；(5)放入氮气炉中烘干待用；(6)蒸镀前在真空舱内，用离子枪轰击基片的表面5～10分钟，经这样清洗的SiO₂基片能使制得的FeSiB薄膜均匀、稳定、牢固。

主权项

1、一种真空蒸镀制合金薄膜用SiO2基片清洗方法，其特征在于包括下列工序和步骤：(1)将基片用稀土抛光粉打磨；(2)将基片放置于容器中加入配比为：氨水∶双氧水∶去离子水为1～1.2∶2～3∶5～6的清洗液，加热煮沸10～20分钟，然后用去离子水冲洗干净；(3)再置于容器中加入配比为：盐酸∶双氧水∶去离子水为1～1.2∶2～3∶8～10的清洗液，同样煮沸10～12分钟后用去离子水冲洗干净；(4)将基片放入超声波清洗机的清洗槽中，在常温下进行超声波抛动清洗3～10分钟、关闭超声波，常温下对玻璃继续抛动清洗3～5分钟、开启超声波，水温控制在50℃～75℃，对基片抛动清洗3～8分钟左右，关闭超声波后再对基片抛动清洗3～5分钟。清洗介质采用去离子水；(5)放入氮气炉中烘干待用；(6)蒸镀前在真空舱内，用离子枪轰击基片的表面5～10分钟。