发明名称 VERFAHREN ZUR VERRINGERUNG DER MUSTERDEFORMATION UND DES FOTORESIST-POISONING BEI DER HERSTELLUNG VON HALBLEITERBAUELEMENTEN
摘要
申请公布号 DE60330998(D1) 申请公布日期 2010.03.04
申请号 DE20036030998 申请日期 2003.07.29
申请人 GLOBALFOUNDRIES INC. 发明人 BONSER, DOUGLAS J.;PLAT, MARINA V.;YANG, CHIH YUH;BELL, SCOTT A.;CHAN, DARIN A.;FISHER, PHILIP A.;LYONS, CHRISTOPHER F.;CHANG, MARK S.;GAO, PEI-YUAN;WRIGHT, MARILYN I.;YOU, LU;DAKSHINA-MURTHY, SRIKANTESWARA
分类号 H01L21/033;H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L29/78 主分类号 H01L21/033
代理机构 代理人
主权项
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