发明名称 |
Integrierte Schaltung und Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung |
摘要 |
<p>Ein oder mehrere Ausführungsbeispiele der Erfindung beziehen sich auf eine integrierte Schaltung, die einen ersten Leistungsversorgungsbereich und zumindest einen zweiten Leistungsversorgungsbereich umfasst. Ferner umfasst die integrierte Schaltung ein Hochfrequenzelement, das zwischen dem ersten Leistungsversorgungsbereich und dem zweiten Leistungsversorgungsbereich geschaltet ist.</p> |
申请公布号 |
DE102009032848(A1) |
申请公布日期 |
2010.02.25 |
申请号 |
DE20091032848 |
申请日期 |
2009.07.13 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HESIDENZ, DIRK;UNGER, MARKUS KLAUS |
分类号 |
H01L23/66;H01L23/60;H01L27/06 |
主分类号 |
H01L23/66 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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