| 发明名称 | 硅晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 在硅晶片的制造方法中，在硅晶片上执行第一热处理工序，同时引入具有0.01vol.％或以上且1.00vol.％或以下量的氧气和稀有气体的第一气体，以及执行第二热处理工序，同时停止引入第一气体，并且替换地引入具有20vol.％或以上且100vol.％或以下量的氧气和稀有气体的第二气体。在第一热处理工序中，以第一加热速率，将该硅晶片迅速地加热到1300℃或以上且硅熔点或以下的第一温度，并保持在第一温度。在第二热处理工序中，该硅晶片保持第一温度，并以第一冷却速率，迅速地从第一温度冷却。 | ||
| 申请公布号 | CN101638806A | 申请公布日期 | 2010.02.03 |
| 申请号 | CN200910157496.2 | 申请日期 | 2009.07.30 |
| 申请人 | 科发伦材料株式会社 | 发明人 | 矶贝宏道;仙田刚士;丰田英二;村山久美子;泉妻宏治;前田进;鹿岛一日児 |
| 分类号 | C30B33/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 文 琦;陈 波 |
| 主权项 | 1.一种硅晶片的制造方法，包括：制造通过直拉单晶工艺生长的硅单晶锭；将所述硅单晶锭切片为多个硅晶片；在所述硅晶片上执行第一热处理工序，同时引入具有0.01vol.％或以上且1.00vol.％或以下量的氧气和稀有气体的第一气体，所述第一热处理工序包括：以第一加热速率，将所述硅晶片迅速地加热至1300℃或以上且硅熔点或以下的第一温度；以及将所述硅晶片保持在所述第一温度；以及在所述第一热处理工序之后，在所述硅晶片上执行第二热处理工序，同时停止引入所述第一气体，并且替换地引入具有20vol.％或以上且100vol.％或以下量的氧气的第二气体，所述第二热处理工序包括：将所述硅晶片保持在所述第一温度；以及以第一冷却速率从所述第一温度迅速地冷却所述硅晶片。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||