发明名称 |
一种微机械可动梳状栅电容及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于微机械加速度计和微机械陀螺的微机械可动梳状栅电容及其制作方法,它包括固定电极和硅片上的与梁活动连接的栅电极,栅电极的栅槽深度的最小值与栅电容间距的比值为1∶1,所述栅电极的栅槽深度的最大值与硅片厚度的比值为0.8∶1。对于采用本发明微机械可动梳状栅电容结构的加速度计和陀螺相对传统栅电容结构,在器件性能上,在同等面积下可大幅度地提高加速度计和陀螺可动质量块的质量,从而大幅度提升加速度计和陀螺的位移机械灵敏度,同时大幅度地降低其机械热噪声;在器件加工质量上,本发明栅电极的形成和结构释放分开,极大地降低了深反应离子刻蚀过程中的凹缺效应和滞后效应对器件的损伤,提高了器件成品率和加工质量。 |
申请公布号 |
CN101639486A |
申请公布日期 |
2010.02.03 |
申请号 |
CN200910101953.6 |
申请日期 |
2009.08.21 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
郑旭东;金仲和;胡世昌;张霞 |
分类号 |
G01P15/125(2006.01)I;G01P9/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01P15/125(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 |
代理人 |
林怀禹 |
主权项 |
1.一种微机械可动梳状栅电容,它包括固定电极和硅片上的与梁活动连接的栅电极,其特征是:所述栅电极的栅槽深度的最小值与栅电容间距的比值为1∶1,所述栅电极的栅槽深度的最大值与所述硅片的厚度的比值为0.8∶1。 |
地址 |
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |