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<p>Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement, umfassend eine aus Halbleitermaterial bestehende erste Schicht (10), wie Substrat, eine auf dieser verlaufende zweite Schicht (12), mindestens zwei zwischen der ersten und zweiten Schicht verlaufende aus den Materialien der ersten und zweiten Schicht ausgebildete Zwischenschichten (14,16), wobei die der zweiten Schicht (12) zugewandte erste Zwischenschicht (16) ein eutektisches Gemisch (18) aus den Materialien der ersten und der zweiten Schicht enthalten kann, sowie einen eine elektrisch leitende Verbindung mit der ersten Schicht bildenden und von der zweiten Schicht ausgehenden oder diese durchsetzenden elektrisch leitenden Kontakt (15,15a,15b) sowie auf ein Verfahren zur Herstellung des Metall-Halbleiter-Kontaktes. Um einen mechanisch haltbaren, elektrisch einwandfrei lösbaren Kontakt im Bereich des Materials der zweiten Schicht zu erzeugen, wird vorgeschlagen, dass der elektrisch leitende Kontakt ein lötbares oder metallisch benetzbares Material umfasst, das in der zweiten Schicht einlegiert ist oder mit dem Material der zweiten Schicht ein Gemenge bildet.
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