将三维函数用于掩模规格制定的方法

摘要

一种将三维函数用于掩模规格制定的方法，此种方法采用三种参数控制掩模的规格：MTT值，CDU值以及光学近似效应值。在集成电路制造工艺发展至图案特征的关键尺寸逐渐接近光学分辨率的极限时，光学近似效应对于掩模制造的影响越来越明显。本发明的方法正是基于此而设计，实际使用中可以提升掩模制作的良率，使生产成本下降。并且，也可以间接得使集成电路制造中的产品良率上升。

主权项

1、一种将三维函数用于掩模规格制定的方法，用于在集成电路制造工艺中对掩模制作的规格加以限定，其特征在于采用三种参数控制掩模规格：MTT值，CDU值以及光学近似效应值，所述的方法包括下列步骤：1)采集由于掩模误差而引起的晶片关键尺寸偏差数据，所述的误差包括掩模主图案特征的MTT值偏移，横向掩模CDU值以及不同掩模的光学近似效应表现值；2)根据所采集的三方面数据在三维坐标系中绘制出掩模规格的函数曲面图，函数的表达式为：晶片关键尺寸容忍度＝F(MTT，CDU，光学近似效应值)3)根据步骤2)中得到的曲面函数判断掩模是否符合规格，测试数据在函数曲面包覆范围内的掩模为符合规格，反之则不符合规格。