发明名称 | 在集成电路中减少电磁耦合 | ||
摘要 | 本发明公开了具有多个电磁发射装置(诸如LC振荡器)的集成电路。这些装置是在集成电路衬底上形成的,并且被给定了彼此不同的沿面取向。公开的特定集成电路封装是“反转芯片”封装,其中焊料块被提供在集成电路衬底上,用以将完成的集成电路反转并安装在印刷电路板或其它衬底上。焊料块在集成电路和衬底之间提供了导电连接。发射装置的取向和定位使得一个或多个焊料块被插入在相邻的发射装置之间,作为它们之间的电磁屏蔽。 | ||
申请公布号 | CN100580952C | 申请公布日期 | 2010.01.13 |
申请号 | CN200580040660.1 | 申请日期 | 2005.09.28 |
申请人 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 发明人 | S·拉马斯瓦米;H·O·阿里;S·吴 |
分类号 | H01L29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/40(2006.01)I |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
主权项 | 1.一种集成电路,包括:具有表面的衬底;在所述衬底上形成的第一电磁发射半导体装置;在所述衬底上形成的第二电磁发射半导体装置;和位于所述衬底的所述表面上的多个导电元件,所述导电元件包括用于至少部分地对电磁发射造成的所述第一和第二电磁发射半导体装置的交叉耦合进行屏蔽的材料,其中所述导电元件在所述表面上的高度大于所述第一半导体装置和第二半导体装置在所述表面上的相应高度。 | ||
地址 | 美国德克萨斯州 |