| 发明名称 | 用于制造用于等离子体处理设备的硅物质的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造用于等离子体处理设备的硅物件的方法。本发明提供一种用于制造硅物件的方法，包括：制备硅锭；通过对硅锭进行取芯而形成中空硅圆柱体和具有小于硅锭的直径的直径的硅芯圆柱体；通过切割中空硅圆柱体而形成具有中心开口的硅环形板并通过切割硅芯圆柱体而形成硅电极板；以及通过处理硅环形板而形成硅环并通过处理硅电极板而形成硅电极。根据本发明，通过在将硅锭切片之前对圆柱形硅锭进行取芯而制造中空硅圆柱体和硅芯圆柱体。其用于制造硅物件，例如硅环和硅电极，使得可减少硅物件的生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101626876A | 申请公布日期 | 2010.01.13 |
| 申请号 | CN200780051626.3 | 申请日期 | 2007.08.02 |
| 申请人 | 哈纳西利康有限公司 | 发明人 | 崔昌浩 |
| 分类号 | B28D5/02(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I | 主分类号 | B28D5/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 臧建明 |
| 主权项 | 1、一种用于制造硅物件的方法，包括：制备硅锭；通过对所述硅锭进行取芯而形成中空硅圆柱体和具有小于所述硅锭的直径的直径的硅芯圆柱体；通过切割所述中空硅圆柱体而形成具有中心开口的硅环形板并通过切割所述硅芯圆柱体而形成硅电极板；以及通过处理所述硅环形板而形成硅环并通过处理所述硅电极板而形成硅电极。 | ||
| 地址 | 韩国忠清南道 | ||