在高氮化学势下制备膜及器件的方法

摘要

在氮化学势相对高的环境中制备氮化物半导体膜、例如用于固态发光器件和电子器件的氮化物半导体膜，从而使生长中的膜的氮空位减少。一种反应器设计及其使用方法，通过使用一种催化金属表面对前体进行预裂解、使前体预热解、使用经催化裂解的分子氮作氮前体、和/或使表面暴露于富含氮活性的环境中，可提供高的氮前体分压。由此可提供效率改进的发光器件，特别是在蓝光和绿光波长下的效率改进，并可改进氮化物电子器件中的传输性能，即改进基于氮化物基器件例如InGaAlN激光二极管、晶体管和发光二极管等的性能。

主权项

1.一种在生长环境中制备半导体器件用外延氮化物膜的方法，包括：在反应器生长室内放入一个生长基底；制造一种高氮化学势的环境，包括以下步骤：将一种前体气体以某一方向注入所述生长室内，以使所述前体气体引至至少是接近所述生长基底的生长表面，所述前体气体为一种氮源；将III族烷类注入所述生长室内，所述III族烷类以低于其热解温度的温度注入；和使外延氮化物膜在所述生长环境中生长；由此生长出具有改进的器件性能的氮化物半导体膜。