封装结构及其形成、量产方法与芯片堆叠结构

摘要

本发明是一种封装结构及其形成、量产方法与芯片堆叠结构。该封装结构包含一第一芯片堆叠结构，通过于芯片中设置多个硅通道构件(Through Silicon Via；TSV)，作为电连结的路径，以使第一芯片堆叠结构的多个毗连芯片之间可形成电连结，并使第一芯片堆叠结构电连结至一基板。该方法包含电连结一第一芯片的至少部分该多个TSV至一基板，同时电连结一第二芯片的至少部分该多个TSV至该第一芯片的至少部分该多个TSV，藉此于该基板上，堆叠该第一芯片以及该第二芯片，完成具有芯片堆叠结构的封装结构。

主权项

1.一种封装结构，包含：一基板；一电路结构，形成于该基板上；以及一第一芯片堆叠结构，形成于该电路结构上，该第一芯片堆叠结构包含多个堆叠的芯片，各该芯片具有一上表面及相对于该上表面的一下表面，且其中设有多个硅通道构件(TSV)，构成该上表面及该下表面间的电性导通；其中，各该芯片通过其中所设的TSV，分别电连结至相邻另一芯片中所设的TSV，且该第一芯片堆叠结构，通过至少部分该多个TSV，电连结至该电路结构。