一种具有显微扩散阻挡层的铜/硅封装材料及其制备方法

摘要

一种具有显微扩散阻挡层的铜/硅电子封装材料及其制备方法，该封装材料的硅颗粒表面是由1nm-10μm厚度氧化铝、氮化铝或二者复合构成的扩散阻挡层薄膜，铜组元构成连续基体组织；本发明的方法为首先在硅粉表面涂覆氧化铝薄膜或其前驱体，然后将涂覆后的硅粉在真空、还原气氛或(与碳粉混合后)在氮气中焙烧，表面处理后的硅粉与铜粉经混粉、烧结等工艺获得致密化材料；本发明在铜、硅粉末表面镀覆氧化铝/氮化铝扩散阻挡层薄膜，用扩散阻挡层阻隔铜、硅二组元在高温烧结时的相互扩散和界面反应，从而通过高温烧结得到铜/硅封装材料。

主权项

1.一种具有显微扩散阻挡层的铜/硅电子封装材料，其特征在于，包括占总重量20％--60％的颗粒尺寸为1-200μm的硅和占总重量为80％--40％的晶粒尺寸为45-300μm的铜，其中硅颗粒表面是由1nm-10μm厚度的氧化铝、氮化铝或二者复合构成的扩散阻挡层薄膜，铜构成连续基体组织。