对存储器进行的锁存编程及方法

摘要

通过诸如字线及位线等存取线为一阵列中的一组存储单元提供工作电压。所述存储单元的关联节点的电容可锁存这些电压中的某些电压。甚至当断开所述存取线时，也可使用所锁存的电压来继续进行存储操作。在一具有一NAND链阵列的存储器中，每一NAND链的沟道电容均可锁存一用于允许或禁止编程的电压。然后，所述位线可在对所述一组存储单元进行编程期间断开并用于另一存储操作。在一实施例中，对所述位线进行预充电以对同一组存储单元实施下一验证步骤。在另一实施例中，同时对两组存储单元进行编程，以便当正对一组进行编程时，可使用所述位线来对另一组进行验证。

主权项

1、一种用以在一具有一组织为NAND结构的存储单元阵列且每一存储单元均具有一控制栅极及一由一源极及一漏极界定的沟道的非易失性存储器中对一组存储单元进行并行编程的方法，其包括：(a1)对于所述一组存储单元中的每一存储单元，根据每一所述存储单元是指定要被编程还是指定要被禁止编程，将一关联的电压源耦接至每一沟道以将所述沟道带至一允许编程或禁止编程电压；(a2)将所述关联电压源从每一所述单元的所述沟道去耦，同时使所述允许编程或禁止编程电压动态地保持在所述沟道处；及(a3)通过将编程电压施加至所述一组存储单元的所述控制栅极来对所述一组存储单元进行编程。