| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体存储装置。从解码电路203输出的选择信号211～214根据单元组指定电路202中的位单元100中熔丝元件的切断状态选择性地成为高电平。于是，任一个传输门221、223成为导通状态，进行数据的写入、读出的数据位单元组201a～201c被选择。因此，通过依次切断单元组指定电路202内的熔丝元件，便能多次改写存储数据。结果是，本发明能够利用具有熔丝元件等仅能写入一次的存储元件进行多次写入，同时还能够减小电路规模。 | ||
| 申请公布号 | CN100570740C | 申请公布日期 | 2009.12.16 |
| 申请号 | CN200510123689.8 | 申请日期 | 2005.11.18 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 白滨政则;县政志;川崎利昭;西原龙二 |
| 分类号 | G11C7/00(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，其特征在于：包括：多个数据存储单元，仅能够进行一次数据写入，和读出选择电路，具有只能够写入一次数据的选择用存储单元，根据已写到该选择用存储单元的内容选择上述多个数据存储单元中的任一个数据存储单元，再根据已写入的内容将数据输出到所选择的数据存储单元中。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||