| 摘要 |
1. Каскадный фотопреобразователь, содержащий эпитаксиальную структуру, сплошной тыльный металлический контакт и лицевую металлическую контактную сетку, нанесенные соответственно на тыльную и лицевую стороны эпитаксиальной структуры, а также неотражающее покрытие, состоящие из, по меньшей мере, двух слоев, при этом эпитаксиальная структура включает подложку p-Ge, в которой создан нижний p - n-переход за счет диффузии атомов пятой группы элементов во время эпитаксиального выращивания нуклеационного слоя, и последовательно выращенные на подложке нуклеационный слой толщиной 170÷180 нм, выполненный ! из n-Ga0,51In0,49P, согласованный по параметру решетки с подложкой, буферный слой, нижний туннельный диод, включающий в себя n++- и р++-слои, заключенные между широкозонными слоями, средний элемент, верхний туннельный диод, верхний элемент, и контактный n+-подслой, при этом нижний туннельный диод включает в себя последовательно выращенные широкозонный слой из n-Аl0,53In0,47Р или n-AlGaInP толщиной 30÷50 нм, согласованный по параметру решетки с подложкой, слой из n++-GaAs толщиной 20÷30 нм, слой из p++-AlGaAs толщиной 20÷30 нм и широкозонный слой из р-Аl0,53In0,47Р толщиной 20÷50 нм или из n-AlGaInP толщиной 30÷50 нм, согласованный по параметру решетки с подложкой, средний элемент включает последовательно выращенные р+-слой тыльного потенциального барьера, базовый р-слой, эмиттерный n-слой, n-слой широкозонного окна из n-AlGaAs или из n-Ga0,51In0,49P толщиной 30÷120 нм, верхний туннельный диод включает последовательно выращенные слой из Ga0.51In0.49P или GaAs толщиной 10÷20 нм и слой из p++-AlGaAs толщиной 10÷20 нм, а верхний элемент включает последовательно выращенные р+-слой тыльного потенциального ба |
